按照屏蔽原理可以分為（wéi）電場屏蔽、磁（cí）場屏蔽和電磁屏蔽。在（zài）設計中要想（xiǎng）達到所需的屏蔽性能，需（xū）要（yào）先明（míng）確輻射源、屏蔽範圍、再根據各個頻段的典型泄漏結構，確定控製要素，進而選擇合適的屏蔽材料，設計屏蔽殼體。

      屏蔽體的（de）屏蔽效能由兩個（gè）部（bù）分（fèn）組成（chéng），吸收損耗和反射損耗。當電磁波射入（rù）到不同媒質的分界（jiè）麵時，就會產生反（fǎn）射。反（fǎn）射的電磁（cí）波稱為反射損耗，當電磁波在屏蔽體中（zhōng）傳播時就構成（chéng）了（le）吸收損耗。屏（píng）蔽效能 = 吸收損耗( A) + 反射損耗（hào）( Ｒ) + 多次反射損耗( B) ，如 圖 1 所示。

1.吸收損耗 A

      吸收損耗是由電磁波的頻率、屏蔽體的相（xiàng）對磁（cí）導率和相對電導（dǎo）率共同決定（dìng），單位是 dB，表達式是:

      式中，f 為電（diàn）磁波（bō）頻率( Hz) ，μr、σr 為屏蔽體相對於銅的相 對 磁 導 率 和 相 對（duì） 電 導 率，t 為 屏 蔽 體 壁 厚( mm) 。

      由此可以得出: 同一種屏蔽體（tǐ），相對磁導率和相對電導率越（yuè）大，吸收損耗越大，同時，屏蔽體的厚度越大，吸收損耗（hào）也越大。因（yīn）此，當頻（pín）率（lǜ）一定（dìng）時，盡量選取相對磁導率和相對（duì）導電率越大的金屬材料，在條件允許的情況下盡可能增加屏蔽體厚度，以提高其吸收損耗。 

2.反射損（sǔn）耗 Ｒ

      反射損耗是由屏蔽體表麵處阻抗（kàng）不連續性引起的，平麵波（bō）以 dB 為單位的表達式為:

      由公式可以得出，電磁波頻（pín）率越大，反射損耗越少。對於同一種材（cái）料而言，相對磁導率越（yuè）小和相對（duì）電導率越大，反（fǎn）射損耗就越大。因此，頻率（lǜ）一定時，盡量選擇導磁率小、導電率大的材料（liào）以增加反射損耗。 

3. 多次反射損耗（hào） B

      多次反射損耗是由電磁波在屏蔽體（tǐ）內反複碰到壁麵所產生的（de）損耗。當屏（píng）蔽體較厚或者頻率較高時，屏蔽體吸收損耗（hào）較大，這樣當電磁（cí）波在屏蔽體經一（yī）次傳播後到達另（lìng）一個分界麵的時候已經衰減很多，經過多次反射（shè），電磁波能量將會越來越（yuè）小，一般在吸收損耗大於 15dB，多次損耗可以忽略。當（dāng）吸收損耗較小（xiǎo），此時多次（cì）損耗必須考慮（lǜ）。表（biǎo）達式為: